高频电容器

技术与性能指标：
标称电容量：0.001μF-10μF；
额定电压：2kV-150kV；
有效电流：≤200A;
环境温度：-25℃-65℃。
主要用于频率较高的谐振、滤波、耦合、退耦电路中。